台积电官宣6nm工艺!7nm加强版 也有极紫外光刻

2020-04-30 05:56来源:未知

这几年,曾经履行业盟主的Intel在新工艺方面进展迟缓,10nm工艺迟迟无律例模量产,一个很关键的原因就是对技巧指标请求高,投产难度大年夜。

而在另一方面,台积电、三星倒是一路高歌大进,除了技巧方面的冲破,还采取了更灵活的战术,降低新工艺技巧难度,并且每次稍加改进就拿出一个新版本,让人目不暇接。

比如台积电的16nm是个重要节点,12nm则是在其基本上进级优化而来。三星就更乱了,除了14nm、10nm、7nm、5nm这些进级力度比较大年夜的,还有11nm、8nm、6nm、4nm等一系列过渡版本。

新的6nm工艺也有EUV极紫外光刻技巧,号称比拟第一代7nm工艺可以将晶体管密度晋升18%,同时设计规矩完全兼容第一代7nm,便于进级迁徙,降低成本。

近日,台积电宣布5nm EUV工艺已经开端试产,比拟7nm可将核心面积缩小45%,机能则可晋升15%,同时三星5nm EUV工艺已经设计完毕,比拟7nm可将功耗降低20%,机能进步10%。

如今,台积电又正式宣布了6nm(N6)工艺,在已有7nm(N7)工艺的基本上大年夜幅度加强,号称可供给极具竞争力的高性价比,并且能加快产品研发、量产、上市速度。

台积电7nm工艺有两个版本,第一代采取传统DUV光刻技巧,第二代则是初次参加EUV极紫外光刻,已进入试产阶段,估计下一代苹果A、华为麒麟都邑用。

台积电6nm估计2020年第一季度试产,合适中高端移动芯片、花费应用、AI、收集、5G、高机能计算等。

Intel:14nm我改进了一次又一次,也只是叫14nm+、14m++,台积电、三星你们太过分了……

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